poly-Si相关论文
In this paper, polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vap......
利用Kr F准分子激光器晶化非晶硅薄膜,研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫......
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现：衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的......
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因，本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构，它可以......
在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载......
采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的......
An isotropic etching technique of texturing silicon solar cells has been applied to polycrystalline silicon wafers with ......
本论文的主要工作是结合目前实验室中现有的OLED制作技术和设备水平以及韩国PT-PLUS公司的LDD型Poly-Si TFT制备工艺,确定了全P沟......
本论文的具体工作是结合韩国PT-PLUS 公司的LDD 型P-Si TFT 的制备工艺,根据相关的设计规则、工艺文件及0LED 的工作条件,完成了64......
